EPCは、40 V、3 mΩのeGaN^® FETであるEPC2055を発売し、高性能がかつ要求され、スペースに制約のある用途向けに、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で、信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月17日、eGaN FET の「EPC2055」（3 mΩ、40 V）の発売によって、既製の低耐圧の窒化ガリウム・トランジスタの性能向上が進展すると発表しました。

Efficient Power Conversionのパワー・モジュールEPC9204とEPC9205は、高周波でスイッチングできるeGaN^®パワー・トランジスタと集積回路を使ったDC-DC電力変換で実現された超小型化と効率向上を実証します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2018年3月6日、48 V入力からPOL（負荷点）電源アーキテクチャへの効率を高められるDC-DC変換用の新しいGaNパワー・モジュール2品種を発表しました。その1品種の「EPC9205」は、48 V入力から12 V出力に変換する用途向けの高電力密度のプリント回路基板ベースのパワー・モジュールで、もう1品種の「EPC9204」は、超薄型のプリント回路基板ベースのパワー・モジュールで、20 V入力からPOLへの変換に対応しています。

高効率ハーフブリッジ開発基板のEPC9086は、最近製品化された米Peregrine Semiconductor社の高速ゲート・ドライバEPC2111と組み合わせた耐圧30 VのeGaN^®ハーフブリッジPE29102を搭載し、最高10 MHzまで動作します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年10月19日、最高10 MHzまで動作可能な高効率ハーフブリッジ開発基板「EPC9086」を製品化しました。EPC9086の基板の大きさは、2インチ×2インチ（1インチは2.54cm）で、米Peregrine Semiconductor社が最近製品化したゲート・ドライバEPC2111と組み合わせた耐圧30 V、最大出力電流15 Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウムのハーフブリッジPE29102を搭載しています。

GaNハーフブリッジのEPC2111は、12 Vから1.8 Vに変換するPOL（負荷点）システム全体の効率を、スイッチング周波数5 MHz、出力14 Aで効率85％以上、スイッチング周波数10 MHzでは80％以上に向上できるソリューションを電源システム設計者に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年6月1日、耐圧30Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2111」を製品化しました。2つのeGaN^®パワーFETをワン・チップに集積することによって、プリント回路基板上で必要な相互接続のインダクタンスを排除でき、チップ間のスペースが不要になります。これによって、効率（特に高い周波数）と電力密度の両方が向上し、最終ユーザーの電力変換システムの組み立てコストが削減できます。EPC2111は、12 VからPOL（負荷点）への高周波のDC-DC変換に最適です

開発基板のEPC9059は、電力密度を高めるために大電流化、高周波化したPOL（負荷点）コンバータの用途向けに、業界で初めてモノリシックのハーフブリッジ・エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）集積回路を搭載しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年1月27日、電力変換回路のサイズを小型化するために、eGaN ICを使って大電流化、高周波化したPOL（負荷点）コンバータ用のハーフブリッジ開発基板「EPC9059」を製品化しました。開発基板EPC9059は、最大デバイス電圧が30 Vで、最大出力電流は50 Aです。大きな出力電流を得るために、基板上の1個のゲート・ドライバで、2個の30 VのeGaN IC（EPC2100）を並列動作させています。GaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べて、優れた電流分割能力を備えているので、並列動作に向いています。

直流24 Vのシステムで使われるPOL（負荷点）コンバータの設計者は、伝統的に、コストが高い絶縁型コンバータと、周波数と効率が低いバック（降圧型）・コンバータとの間で決めなければなりませんでした。コンピューティング・システムにおいて一般的な12 VのPOLコンバータと比べて、より高い電圧の24 VのPOLコンバータでは、スイッチ・ノードのリンギングに対応するためにFETの電圧を少なくとも40 Vに高くするので、転流と出力容量C_OSSの損失が大きくなります。EPC社のeGaN FETは、出力容量を充放電するとき、Q_GDが非常に小さいので転流損失を低減でき、Q_OSSが小さいので低損失にできます。さらに、EPC社のeGaN FETのウエハー・レベル・パッケージである革新的なランド・グリッド・アレイ（LGA）は、高周波のパワー・ループとゲート駆動ループの両方ともに超低インダクタンスにできます。最も重要なのは、これらのループに共通の経路は、共通ソース・インダクタンス（CSI）として知られ、電流の転流損失の最小化に役立ちます。eGaN FETの電荷とCSIが小さいことによって、伝統的なMOSFETのように、効率を犠牲にすることなく、周波数をより高くすることで電力密度をより高められます。

David Reusch博士、アプリケーション部門ディレクタ
Stephen L. Colino、セールス＆マーケティング部門バイス・プレジデント

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