開発基板EPC9010は、耐圧100 VのeGaN^® FETであるEPC2016を用いた高周波スイッチングの電力変換システムを迅速に設計するための専用eGaNドライバを搭載しています

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年3月14日、高速DC-DC電源、POL（負荷点）コンバータ、D級オーディオ・アンプ、ハード・スイッチングの高周波回路などの用途で、耐圧100 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）の電界効果トランジスタ（FET）を使った設計を容易に始められるようにするための開発基板「EPC9010」を製品化しました。

開発基板EPC9010は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流7 Aで、エンハンスメント・モード（eGaN）の電界効果トランジスタ（FET）であるEPC2016を搭載し、ゲート駆動回路と共にハーフブリッジを構成しています。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載することで、eGaN FETの評価プロセスを単純化することです。

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