エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月5日、eToF™レーザー・ドライバICのEPC21601が権威あるWorld Electronics Achievement Awards（WEAA）のパワー半導体／ドライバICの2021年の製品賞を受賞したと発表しました。

WEAA賞は、世界中の電子産業の革新と発展に、卓越した貢献をした製品を称える賞です。米ASPENCOREのグローバル・シニア業界アナリストと世界中のオンライン・ユーザーで構成される委員会が受賞者を選出します。ASPENCOREは、米EETimes誌や米EDN誌などの雑誌を発行する世界最大の電子産業メディアであり、米SaaSグループです。

Efficient Power Conversion（EPC）は、ePower™StageICのEPC2152が2020年のElektra Award for Semiconductor Product of the Year（Analogue）を受賞したと発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月30日、当社のePower™ StageのEPC2152 集積回路（IC）が、Semiconductor Product of the Yearのアナログ部門でElektra Award 2020を受賞したと発表しました。この受賞は、3月25日に、英Electronics Weekly誌が主催するバーチャル授賞式で発表されました。これらの権威ある年次賞は、優れた性能、革新性、および世界の電子産業への貢献に対して、企業や個人を表彰するために19年以上にわたって実施されています。審査は、業界の専門家からなる独立した偏りのない、多様で知識豊富なパネルによって行われます。

EPCのePower™ Stage集積回路のEPC2152が、今年のElektra Awardsのアナログ部門のSemiconductor Product of the Yearのファイナリストに選ばれました。これらの権威ある年間賞は、優れた性能、革新性、および世界の電子産業への貢献に対して、企業や個人を称え表彰するもので、19年以上にわたって実施されています。

企業は、個々の分野にエントリーするよう求められ、自社の製品がいかに革新的であるか、意図されたアプリケーションに既存の製品よりも、いかにうまく対応するか、そして、さらなるアプリケーションや市場をどのように開拓できるかを実証しなければなりません。審査は、業界の専門家から成る独立した偏りのない、多様で豊富な知識を持つ識者によって行われます。現在のCOVIDの制約によって、今年のElektra Awardsのセレモニーは、3月25日にバーチャルで開催され、受賞者はイベント中に発表されます。

EPCのEPC2152は、高密度アプリケーションや、イーモビリティ、ドローン、ロボットのモーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された80 V、12.5 Aのパワー段ICです。EPC2152は、より高い性能と、より小さなソリューション・サイズを提供し、EPC独自のGaN IC技術を使って、ドライバとeGaN FETのハーフブリッジ・パワー段をワン・チップにしています。ハーフブリッジとして構成されたeGaNの出力FETと共に、入力論理インタフェース、レベル・シフト、ブートストラップ充電、ゲート駆動バッファの各回路がモノリシック・チップに集積されています。これによって、わずか3.9 mm✕2.6 mm✕0.63 mm（10 mm²）と小型のチップスケールLGA封止のデバイスが得られています。

Elektra Awards候補者リスト
2021年2月
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エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月23日、権威あるWorld Electronics Achievement Awards（WEAA）2020のContributor of the Year賞をCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が受賞したと発表しました。

WEAAの構想は、世界中のエレクトロニクス産業の革新と発展に卓越した貢献をした製品、企業、個人に栄誉を授けることです。調査会社の米 ASPENCOREのグローバル・シニア業界アナリストと、アジア、米国、欧州のオンライン・ユーザーで構成される委員会が受賞者を選出します。ASPENCOREは、世界最大のエレクトロニクス業界メディアで、米EE Times誌や米EDN誌などの世界を対象とするメディアの米SaaSグループに属します

Efficient Power Conversion（EPC）は、窒化ガリウム・デバイスのEPC2202とEPC2203が車載品質のAEC Q101認定を取得し、自動車や、その他の過酷な環境におけるさまざまなアプリケーションへの扉を開きました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2018年9月13日、AEC Q101認定の当社のEPC2202とEPC2203が、中国Electronic Products China / 21iC Media の「トップ10パワー製品 ―― 技術ブレークスルー賞」を受賞したと発表しました。この賞の発表は、中国の北京で開催された21iC Power Conference 2018の会期中に、2018年9月13日に発表されました。

LiDAR（光による検出と距離の測定）用途向けに最適化したeGaN^® パワー・トランジスタのEPC2040が、電子部品の雑誌である米ECN誌の著名な2017 Impact Awardの受動部品とディスクリート半導体の分野でトップに選ばれました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年11月1日、電子設計技術者のための主要な雑誌である米Electronic Component News（ECN）誌の ECN Impact Award for 2017の受動部品とディスクリート半導体の分野で、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）・トランジスタのEPC2040が受賞したと発表しました 。

EPCの最新のeGaN^®トランジスタとICのファミリーは、特性が飛躍的に向上すると同時に、現在、MOSFETが使われている新規または既存のアプリケーションのコストを削減します

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年9月18日、当社の第5世代（Gen 5）eGaNトランジスタとICのファミリーが、中国Electronic Products China誌 / 21iCメディア の「トップ10パワー製品 ―― 最優秀アプリケーション賞」を受賞したと発表しました。この賞の発表は、中国の北京で開催された21iC Power Conference 2017の会期中に、2017年9月15日に発表されました。

eGaN ^® FETとICの優れた特性は、低コストの単一送信アンプのソリューションを実現可能にし、受信器で使われる規格によらず、無線で機器を充電できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation）は2016年9月14日、当社のマルチモード無線充電デモ・システム「EPC9121」が、中国Electronic Products China誌の「トップ10パワー製品 ―― ブレークスルー技術賞」を受賞したと発表しました。この賞は、業界のトレンドをリードする技術やその応用を大きく進展させたと認められたベンチマークとなります。この賞は、同誌のPower Conference中に、中国の北京で2016年9月8日に発表されました。

GaNの商用化を可能にするためのパワー・デバイス技術の革新を認める受賞

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年1月14日、CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、GaNの商用化を可能にするパワー・デバイス技術の革新によって、北米の2015年SEMI賞の受賞者として選ばれたと発表しました。Lidow博士は、プロセスと技術の統合の分野での業績に対する栄誉を与えられます。

米Powerpulse.net誌によると、「この選出は、2015年の最も読まれた製品ニュース記事50本で、EPC社が多くを占めたことに基づいています。（読者によって評価されたように）2015年のトップ50製品記事のうち、EPC社が8本ありました。これは、「トップ10に1本、トップ20に5本入ったことを含めて、1社が製品ニュース記事でこのような多数（すなわち、四半期ごとに2本）を占めたのは初めてです

米PowerPulse.net誌
2016年1月4日
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GaNパワー・トランジスタのワン・チップ・ハーフブリッジ製品EPC2100が、ディスクリート半導体の革新的な進歩に対する賞を受賞。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年1月7日、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のモノリシック・ハーフブリッジ・パワー・トランジスタ製品が、米Electronic Products誌の「Product of the Year」賞を受賞したと発表しました。

賞を授与された開発基板EPC9005は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com、www.epc-co.com.cn）は2013年11月22日、開発基板EPC9005が中国の業界誌2誌の賞、すなわち、Electronics Product China誌のトップ10パワー・プロダクト・アワード2013の最適化開発賞と、EDN China誌の中国イノベーション・アワード2013の優秀製品賞を受賞したと発表しました。

「Electronics Product China誌とEDN China誌から業界をリードする製品として認められたことを名誉に思います」と、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べました。さらに、「当社のEPC9005基板は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。EPC9005は、十分に解説されたエンジニアリング・サポート資料が完備した既製品で、しかも簡単に接続できる開発基板です」とも語りました。

EPC社は、米Constant Contact社の2012 All Starとして認められる栄誉に浴しました。これは、Constant Contact社の顧客の10％だけが達成した年間認定です。顧客に貢献するために特別の努力をしている企業に授与されます。当社を支えてくれたすべての人に感謝します。当社のニュースレターをまだ受信していない方は、ここ（http://bit.ly/qr28tu）から、リストに登録してください。

無線充電は、2013年に、パワー・エレクトロニクス業界の急成長分野になるでしょう。主な開発は、昨年、加速し始めました。米PowerPulse誌の編集者によって選ばれた「トップ10」開発は、無線充電の重要なトレンドに焦点を当てており、これは2013年とそれ以降も続くでしょう。

EPC社は、窒化ガリウム・トランジスタの高周波スイッチング能力を利用して、高効率のワイヤレス・パワーのデモ・システムを発表しました。EPC社のeGaN® FETは、高周波、高電圧、大電力で高効率の動作が可能なので、これらのシステムに最適です。EPC社と米WiTricity社が共同開発したこのワイヤレス・パワーのデモ・システムは、6.78 MHzで動作するD級パワー・システムであり、負荷に最大15 W供給することができます。このデモ・システムの目的は、ワイヤレス・パワー技術の評価プロセスを単純化することです。このシステムは、無線エネルギー伝送でデバイスに電力を供給することを実証するために、簡単に接続することができる単一システムに、すべての重要な部品を搭載しています。

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エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2012年11月15日、中国EDN China誌のInnovation Award 2012のパワー・デバイスとモジュールの分野で、リーディング・プロダクト賞を受賞したと発表しました。8年目となるEDN China 誌のInnovation Award 2012は、エレクトロニクス設計の世界的なエンジニアやマネージャの投票によって革新的な製品と認められるベンチマークとなるイベントです。

「EDN China誌から業界をリードする製品と認められたことを光栄に思います。EPC2012は、シリコン・ベースのMOSFETよりも高性能な代替品として顧客に採用されている当社のeGaN FETファミリーの製品です」とEfficient Power Conversion社のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしています。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術のリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2012年10月8日、米EE Times誌の新興ベンチャーのシリコン60社リストに選出されたと発表しました。これらの企業は、技術、ターゲット市場、成熟度、財政状態、投資プロファイル、および経営幹部のリーダーシップなどの基準の組み合わせに基づいて、EE Times誌の編集チームによって選ばれます。

「最もホットな新興エレクトロニクス企業の1社として、EE Times誌に認められたことは非常に光栄です。同誌は「今後も注目すべき新興企業」としています」とEfficient Power Conversion社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしています。

Efficient Power Conversion（EPC）の市場をリードするeGaN^® FETが中国Electronic Products China誌のトップ10パワー製品賞を受賞

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation）は2012年9月19日、当社のデモ・ボードEPC9102が中国Electronic Products China誌のトップ10 パワー製品賞であるTechnology Breakthrough賞を受賞したと発表しました。

EL SEGUNDO, Calif. – April, 2012 - Efficient Power Conversion Corporation, (www.epc-co.com) the leader in enhancement mode gallium nitride FET technology, announces today that it has been recognized with inclusion in the EE Times Silicon 60 list of 60 Emerging Startups. Companies are selected by the editorial team at EE Times based on a mix of criteria including: technology, intended market, maturity, financial position, investment profile, and executive leadership.

"It is an honor to receive this recognition from EE Times as one of the hottest emerging electronics companies and as EE Times has noted, 'an emerging company worthy of tracking,'" commented Alex Lidow, CEO, Efficient Power Conversion Corporation.

EL SEGUNDO, Calif-January 3, 2012 — The National LM5113 from Texas Instruments has been honored with an Electronic Products’ Product of the Year award. The editors of Electronic Products — a leading trade publication for electronic design engineers — evaluated thousands of products launched in 2011. The winning products were selected on the basis of innovative design, significant advancement in technology or application and substantial achievement in price and performance.

The LM5113 is the industry’s first driver designed specifically for enhancement mode gallium nitride FETs. Enhancement-mode GaN FETs enable new levels of efficiency and power density compared to standard metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) due to their low on-resistance (Rdson) and gate charge (Qg) as well as their ultra-small footprint, but driving them reliably presented new challenges. National’s LM5113 driver integrated circuit (IC) overcomes these challenges, enabling power designers to realize the benefits of GaN FETs in a variety of popular power topologies.

"We congratulate Texas Instruments on this prestigious award," said Alex Lidow, co-founder and CEO for Efficient Power Conversion Corporation. "The release of the LM5113 bridge driver has been instrumental in accelerating the adoption of our eGaN® FETs by offering designers a true plug and play solution. The LM5113 bridge driver unlocks the efficiency capability of eGaN FETs, enabling designers to achieve new performance benchmarks in power and system density."

http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx

The EPC9004 has been recognized by Bodo’s Power Systems as the Product of the Month in the September, 2011 issue of the magazine. The EPC9004 facilitates rapid design of high frequency switching power conversion systems based on the 200 V EPC2012 with a ready-made, easy to connect development board.

Bodo's Power Systems
September, 2011

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