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EPC9004は、米テキサス・インスツルメンツ社のGaN FET専用ゲート・ドライバとeGaN® FETとを組み合わせて搭載しています。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2013年2月5日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)電界効果トランジスタ(FET)を搭載した開発基板「EPC9004」を製品化しました。この基板は、GaN FET向けに最適化され、最近製品化されたゲート・ドライバICによって、シリコン・パワー・トランジスタから、より高性能のeGaN FETへの移行作業が、いかに簡単で費用対効果が高いかを示します。
開発基板EPC9004は、eGaN FETのEPC2012を搭載し、ピーク電圧200 Vで、最大出力電流2 Aのハーフブリッジです。EPC2012は、米テキサス・インスツルメンツ社の高速ゲート・ドライバUCC27611と組み合わせて使っているので、高周波、高性能の電源システムを設計するための時間を短縮し、複雑さを軽減します。
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The EPC9004 has been recognized by Bodo’s Power Systems as the Product of the Month in the September, 2011 issue of the magazine. The EPC9004 facilitates rapid design of high frequency switching power conversion systems based on the 200 V EPC2012 with a ready-made, easy to connect development board.
Bodo's Power Systems
September, 2011
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EPC9004 facilitates rapid design of high frequency switching power conversion systems based on the 200 V EPC2012 with a ready-made, easy to connect development board and well-documented engineering support materials.
EL SEGUNDO, Calif.—August 2011 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announced the introduction of the EPC9004 development board to make it easier for users to start designing with EPC’s 200 V enhancement-mode gallium nitride (eGaN) field effect transistor (FET) in applications such as solar microinverters, class D audio amplifiers, Power over Ethernet (PoE), and synchronous rectification.
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