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市場をリードするeGaN FET のEfficient Power Conversion(EPC)社、中国EDN China誌 のイノベーションを先導する2012年製品賞を受賞

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2012年11月15日、中国EDN China誌のInnovation Award 2012のパワー・デバイスとモジュールの分野で、リーディング・プロダクト賞を受賞したと発表しました。8年目となるEDN China 誌のInnovation Award 2012は、エレクトロニクス設計の世界的なエンジニアやマネージャの投票によって革新的な製品と認められるベンチマークとなるイベントです。

「EDN China誌から業界をリードする製品と認められたことを光栄に思います。EPC2012は、シリコン・ベースのMOSFETよりも高性能な代替品として顧客に採用されている当社のeGaN FETファミリーの製品です」とEfficient Power Conversion社のCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)はコメントしています。

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Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Expands Industry-Leading Family of Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FETs with Second Generation 200 Volt, 100 milliohm Power Transistor

EPC2012 delivers high frequency switching with enhanced performance in lead-free, RoHS compliant package.

EL SEGUNDO, Calif. – August 2011 - Efficient Power Conversion Corporation (www.epc-co.com) announces the introduction of the EPC2012 as the newest member of EPC’s second-generation enhanced performance eGaN FET family. The EPC2012 is environmentally friendly; being lead free, RoHS-compliant (Restriction of Hazardous Substances), and halogen free.

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