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Efficient Power Conversion(EPC)、市場をリードするeGaN FETが中国Electronic Products China誌のトップ10パワー製品賞を受賞

Efficient Power Conversion(EPC)の市場をリードするeGaN® FETが中国Electronic Products China誌のトップ10パワー製品賞を受賞

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation)は2012年9月19日、当社のデモ・ボードEPC9102が中国Electronic Products China誌のトップ10 パワー製品賞であるTechnology Breakthrough賞を受賞したと発表しました。

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Efficient Power Conversion (EPC) Introduces Eighth Brick DC-DC Power Converter Demonstration Board Featuring (eGaN®) FETs

EPC9102 showcases the performance that can be achieved using the EPC2001 eGaN FETs and the LM5113 eGaN FET driver from Texas Instruments

EL SEGUNDO, Calif.—May, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces the EPC9102, a fully functional eighth brick converter. This board is a 36 V – 60 V input to 12 V output, 375 kHz phase-shifted full bridge (PSFB) eighth brick converter with 17 A maximum output current. The EPC9102 uses the 100 V EPC2001 eGaN FETs in conjunction with the recently introduced LM5113 100V half-bridge gate driver from Texas Instruments. The LM5113 is the industry’s first driver to optimally drive and fully release the benefits of enhancement mode gallium nitride FETs. The EPC9102 demonstrates the performance capabilities of high switching frequency eGaN FETs when coupled with this eGaN driver.

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