EPCは、面積3 mm×5 mmの小型QFNパッケージに封止した耐圧100 V、オン抵抗1 mΩのGaN FETであるEPC2361を製品化し、DC-DC変換、高速充電、モーター駆動、ソーラーMPPT（最大電力点追従）に、高い電力密度を提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月27日、耐圧100 V、オン抵抗1 mΩの「EPC2361」を製品したと発表しました。これは、市場で最も低いオン抵抗のGaN FETであり、当社の前世代品と比べて、電力密度が2倍になっています。

EPCのGaN FETは、米アナログ・デバイセズのドライバとコントローラを活用して、GaNの設計を簡素化し、効率を向上させ、冷却コストを削減し、コンピューティング、産業、民生の各用途向けのDC-DCコンバータの最高の電力密度の実現に貢献します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月13日、当社のGaN FETと米アナログ・デバイセズ（ADI）のコントローラを搭載したリファレンス・デザインの製品化を発表しました。

再生可能エネルギー革命と交通機関の電化が進むにつれて、住宅用エネルギー貯蔵システムの必要性が高まっています。ソーラー・パネルなどの再生可能電源から生成されたエネルギーを蓄電池に充電するには通常、高効率のDC-DCコンバータが必要です。窒化ガリウム（GaN）FETの高速スイッチング速度と低オン抵抗R_DS(on)によって、DC-DCコンバータ内の消費電力が削減され、エネルギーの節約に貢献します。この記事では、100～250 Vから40～60 Vへの高効率DC-DCコンバータを設計する方法を説明します。

英Power Electronics Europe誌
2023年5月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、電力変換ソリューション向けの放射線耐性のある（耐放射線）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、定格62 Aおよび 250 Aの 2種の新しい耐圧40 Vのデバイスを製品化しました。宇宙およびその他の高信頼性の厳しい用途に対応します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は7月18日、定格40 Vの耐放射線（Rad Hard）GaN FET を2品種製品化したと発表しました。「EPC7001」は、実装面積が7 mm²と小さく、耐圧40 V、オン抵抗4 mΩ、パルス電流250 Aの耐放射線GaN FETです。「EPC7002」は、40 V、14.5 mΩ、パルス電流62 Aの耐放射線GaN FETで、実装面積は1.87 mm²と非常に小型です。いずれのデバイスも、ドレイン-ソース間電圧VDSが最大ブレークダウン定格の100%のとき、総線量定格は1000K Rad(Si) 以上で、LET（線エネルギー付与）に対するSEE（シングル・イベント効果）耐性は 83.7 MeV/mg/cm²です。これらの新しいデバイスは、他の耐放射線ファミリーと同様に、チップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版は、米EPC Space.から入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、フットプリントの互換性があるePower™ Stage IC のファミリーを拡張して、電力密度を高め、DC-DC用途、モーター駆動、D級オーディオ・アンプのさまざまな電力要件に対応する設計を簡素化します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月21日、定格が15 Aの「EPC23104」と25 Aの「EPC23103」の 2種の新しい耐圧100 Vのパワー段 ICを製品化したと発表しました。この2種のデバイスは、EPCが提供する100 V、35 Aのパワー段ICであるEPC23102のシリーズに加わります。

政府による気候変動対策の強化に伴って、自動車メーカーは、早急に新しい技術を活用して、内燃エンジンから電気駆動の自動車に切り替えることで対応しようとしています。この記事では、効率96%を達成し、48 Vのマイルドハイブリッド・システムを対象としたGaN FETを使った2 kW、2相で、48 V/12 Vの間の双方向コンバータの設計を紹介します。

米PSD North America誌
2023年3月
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48 Vのマイルドハイブリッド車向けの2 kWで、48V/12Vの間の双方向パワー・モジュールのGaNベース設計の調査

英ニュース・サイトElectronics Today
2023年1月
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EPCと台湾Richtekは、昇降圧コントローラRT6190と、EPCのGaN FETであるEPC2204を使って、効率98%以上を実現するリファレンス・デザインを製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月12日、台湾のRichtek Technologyと協力して、12 V～24 Vの入力電圧を5 V～20 Vの安定化した出力電圧に変換し、5 Aの最大連続電流、および6.5 Aの最大電流を供給できる4スイッチの双方向昇降圧（バック・ブースト）コントローラのリファレンス・デザイン基板を製品化したと発表しました。Richtekの新しいRT6190コントローラとEPCの超高効率 GaN FET であるEPC2204を組み合わせることで、高電力密度用途向けの従来のソリューションと比べて、ソリューションのサイズを20%以上小型化できます。このソリューションは、20 Vおよび12 Vの出力電圧で98%を超える効率を実現し、連続電流5 Aのとき、20 V入力、5 V出力の場合は15℃以下、12 V入力、20 V出力の場合は55℃以下の最高温度上昇でヒートシンクなしで動作できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩのGaN FETであるEPC2619を製品化しました。このデバイスは、実装面積が1.5 mm×2.5 mmと小さく、DC-DC変換、モーター駆動、12 Vから20 Vへの同期整流などの高電力密度用途向けに、従来の MOSFETよりも高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月15日、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩの「EPC2619」を製品化したと発売しました。このデバイスは、当社の前世代の製品と比べて、2倍の電力密度が得られる新世代eGaNデバイスの主要製品です。

EPCのインバータのリファレンス・デザインは、パワー・トレインのサイズを小型化するためにGaNチップに基づいています

英オンライン・ニュースのE-mobility Engineering
2022年9月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、1 MHz動作で最大 35 Aの能力を備えた完全な GaN ハーフブリッジ ・パワー段を集積した最新の ePower™ Stage ICを製品化し、DC-DC変換、モーター駆動、 D級オーディオ・アンプなどの高電力密度アプリケーション向けに高性能で小型ソリューション・サイズを実現できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は8月10日、高密度コンピューティング用途や、イーモビリティ、ロボット、ドローン向けの48 VのBLDC モーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された100 V、35 Aの集積回路を製品化したと発表しました。

このeGaN IC「EPC23102」 は、最大耐圧100 Vで、最大35 Aの負荷電流を供給でき、スイッチング速度は1 MHz以上です。

Efficient Power Conversion（EPC）は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線（rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、この製品ファミリーに5番目の耐放射線デバイスを追加します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月30日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7004」を製品化すると発表しました。EPC7004は、耐圧100 V、オン抵抗7 mΩ、パルス電流160 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は6.56 mm²と小型です。EPC7004の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7004、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019、EPC7018は、市販のeGaN® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

この記事では、6.7 MHzで動作する120 VDC入力を備えた2相DC/DC GaNコンバータを紹介します。120 VDCは、国際宇宙ステーション（ISS）の2次電力システムの標準電圧レベルです。米Tell-i Technologiesの新しく開発されたSDK基板は、GaN FETの高電力密度と超高速スイッチングを使って、通常のスイッチング速度を超えるために2つのフェーズを使います。ISSなどのシステムで使われている標準の120 Vバス電圧をサポートするマルチフェーズ構成によって、インタリーブ・コンバータは3 MHz、5 MHz、および卓越した6.87 MHzで効果的なスイッチングを実現できます。最適で小型なレイアウトは、ゲート駆動回路とパワー・ループを小さくするために、4個のGaNトランジスタEPC2019と2個のゲート・ドライバLMG1210を使って実現しています。

米Power Electronics News誌
2022年4月
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EPC2050は、パワー・システム設計者向けに、耐圧350 V、最大オン抵抗80 mΩ、ピーク電流26 Aのパワー・トランジスタを非常に小さなチップスケール・パッケージに収めています。この新しいデバイスは、マルチレベル・コンバータ、電気自動車の充電、太陽光発電用インバータ、Lidar（光による検出と距離の測定）、LED（発光ダイオード）照明に最適です。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月7日、最大オン抵抗が80 mΩでパルス出力電流が26 Aの耐圧350 VのGaNトランジスタ「EPC2050」を発売したと発表しました。EPC2050の面積は、わずか1.95 mm×1.95 mmです。この小さな面積によって、同等のシリコン・ソリューションの面積の1/10でパワー・ソリューションが実現できます。

EPCと米アナログ・デバイセズは、EPCのGaN FETを駆動するために完全に最適化された新しいアナログ・コントローラを使ったリファレンス・デザインを製品化しました。アナログ・デバイセズの新しい同期GaNバック（降圧型）・コントローラLTC7890とEPC（Efficient Power Conversion）の超高効率eGaN^® FETの組み合わせによって、最高2 MHzのスイッチング周波数が可能になり、高電力密度で低コストのDC-DC変換が実現できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月9日、入力電圧9 V～24 Vを3.3 V～5 Vの出力電圧に変換し、最大15 Aの連続電流を2つの出力に供給するスイッチング周波数2 MHzのデュアル出力同期バック（降圧型）・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9160」を製品化したと発表しました。スイッチング周波数が高いため、コンバータのサイズは非常に小さく、２出力で面積は、わずか23 mm×22 mmであり、コイルの高さは、わずか3 mmです。

窒化ガリウムのスペシャリストであるEPCが米モノリシック・パワー・システムズと共同開発した双方向コンバータは、発表値のピーク効率97％で動作します。

米EETimes誌
2022年2月
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車載用の48 V電力分配向けの双方向DC-DCコンバータの設計を示し、GaN技術が効率的な電子化を可能にする強力な成功要因であることを示します。自動車産業における電子化の増加傾向によって、自動車メーカーは、費用対効果の高い方法で市場に新しい革命を提供し、ますます厳しくなる排出規制に対応することができます。自動車の主バス電圧を48 Vに上げると、マイルドハイブリッド車のスタート・ストップのモーター／発電機などの電力を大量に消費するシステムや、電動パワー・ステアリング、電動過給機、真空や水のポンプなどの負荷に対応できます。

独Bodo’s Power Systems
2021年12月
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EPC9163は、48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータです。マイルドハイブリッド車やバッテリー電源バックアップ・ユニット向けの小型ソリューションで、効率96.5％で2 kWを供給できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月2日、非常に小さな面積であり、かつ効率96.5％で動作する2 kWで48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータ「EPC9163」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードの設計はスケーラブルです；すなわち、2つのコンバータを並列接続して4 kWにしたり、3つのコンバータを並列接続して6 kWにしたりできます。この基板は、8個の100 VのeGaN^® FET（EPC2218）を搭載しており、米マイクロチップ・テクノロジーの16ビット・デジタル・コントローラdsPIC33CK256MP503を備えたモジュールによって制御されます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月16日、仏BrightLoop Convertersが当社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）FETトランジスタEPC2029によって、最新のBB SP DC-DCバック（降圧型）・コンバータのサイズとコストを大幅に削減し、信頼性を向上させたと発表しました。BrightLoopは、シリコン（Si）トランジスタから窒化ガリウム（GaN）に切り替えることで、同じ効率を維持すると同時に、この設計のスイッチング周波数を200 kHzから600 kHzに高めることができました。この設計変更によって、ソリューションの電力密度が約2倍に向上し、より小さな容器の実装が可能になるため、コストが削減されました。

EPCのEPC2029 は、ボール・ピッチ1 mmを特徴とする80 V、48 AのeGaN FETです。ピッチを広くしたので、より大きなビアをデバイスの下に追加できるため、実装面積が2.6 mm×4.6 mmと非常に小さいにもかかわらず、大電流を流すことができます。

過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、および、その他の民生用電子機器システムは、より薄くなると同時に、より大電力にもなりました。結果として、これらの市場は、より大きな電力密度を備えたより薄型の電源ソリューションに対する需要を拡大し続けています。この記事では、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を、48 V〜20 V、250 Wの超薄型電源ソリューションに採用することの実現可能性について検討します。

米How2Power誌
2020年5月
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