コンピューティングやデータセンターにおける計算能力の増大と電子機器の小型化によって、48 Vの電力の供給や変換システムに対する圧力がますます高まっています。高効率で電力密度の高いコンバータによって、システム・レベルでの電力損失を削減すると同時に、形状を小型化することができます。これに関連して、GaN技術と組み合わせたLLC共振回路構成は、複数の例で実証されているように、優れた性能を実現することに成功しています。 この記事では、eGaN^® FETを使った48 Vから12 VへのLLCコンバータで、4 kW／立方インチを超える電力密度を達成するための主要な設計パラメータと部品を示します。

米Power Electronics News誌

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GaNデバイスは、過去15年間で、初期の研究開発段階から主流の設計に移行しました。残念ながら、これらの初期段階のバイポーラ駆動回路の開発、または行き止まりの技術分岐からの多くの誤解が残っています。最も有害なものの1つは、バイポーラ駆動の話題です。実際には、ユニポーラ駆動がeGaN^® FETを駆動する最良の方法です。

英オンライン・ニュースPower Electronics Tips
2022年10月
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新しい技術が採用の転換点を過ぎたことを知る1つの方法は、現状を支持する声によるものです。より保守的な声は、転換点で発生する急速な軌道修正を考えると、新しい設計の不十分な決定につながる可能性がある古い情報を引用する傾向があります。GaNパワー・デバイスの世界では、過去2年間に転換点が発生し、新しいGaNベースの設計の割合が前年比で2倍になり、従来のMOSFET設計は、微調整されたために重大な供給不足、柔軟性の低いサプライ・チェーンに直面し始めました。一方、GaNデバイスは、古いシリコン・ファウンドリーを利用した比較的新しく柔軟なサプライ・チェーンのため、ほとんどの主要な販売代理店に在庫がありますが、これらのファウンドリーに新しく活気のある未来をもたらします。この記事では、記事や会議でまだ見られる一般的な誤解のいくつかに対処します。これらは通常、現状の支持者によって提示されています。

独Bodo’s Power Systems
2022年5月
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この記事では、一部のユーザーが古いシリコン・ベースのパワーMOSFETの置き換え技術であることが明らかなものを採用する速度が遅い最も一般的な理由について説明します。詳細な統計に立ち入ることなく、頻度順に理由のリストが導き出されます。このリストは、一部のアプリケーションが他のアプリケーションよりもGaNの特定の特性に重点を置くという理解に基づいています。ここでの説明は、定格電力400 V未満のデバイスに限定されています。これは、Efficient Power Conversion（EPC）のFETとICの各製品のアプリケーションの焦点になっているためです。

米Power Systems Design誌
2022年3月
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いくつかの簡単な熱管理ガイドラインは、GaN FETから熱を放散することに役立ちます。エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）FETは、形状がすべて小型で、超高速スイッチングと低オン抵抗によって高電力密度を提供します。ただし、これらの高性能デバイスが提供する電力レベルは、極端な熱流束密度によって制限される可能性があります。適切に管理しないと、発生した熱によって信頼性と性能が低下する可能性があります。幸いなことに、eGaN FETのチップスケールのパッケージは、基板側と裏側（つまり、パッケージ）を活用して、熱をよりうまく放散させることができます。

英ニュース・サイト米Power Electronic Tips
2022年2月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、フェーズ14の信頼性レポートを公開します。このレポートは、広範な知識を追加し、シリコン・パワー・デバイスでは比類のない丈夫さを実証します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月1日、フェーズ14の信頼性レポートを公開し、驚くべきフィールド信頼性記録を達成するために使われた戦略を文書化したと発表しました。さまざまな用途でGaNデバイスを迅速に採用するには、信頼性統計の継続的な蓄積と、GaNデバイスの故障の基本的な物理の研究が必要です。フェーズ14の信頼性レポートでは、さまざまな条件下で、デバイスを強制的に故障させるテストに基づいて寿命を測定し、予測するために使われる戦略を示します。この情報を使えば、自動運転車、ロボット、セキュリティ、ドローン向けのLidar（光による検出と距離の測定）、高電力密度コンピューティング、衛星などの用途向けに、より丈夫で高性能な製品を開発できます。

EPC9170は、出力電圧を安定化した48 Vと14 Vの2相双方向コンバータです。ピーク効率96.8％で2 kWを供給できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月26日、小さな実装面積、ピーク効率96.8％、2 kWで、48 Vと14 Vとの間の2相双方向コンバータ「EPC9170」を発売しました。この基板は、100 V、65 AのePower™チップ・セットを搭載しています。このチップ・セットは、eGaN^® IC のEPC23101とeGaN^® FETのEPC2302で構成され、最大耐圧100 Vで、最大65 Aの負荷電流を供給でき、1 MHzを超えるスイッチング速度で動作します。

モーター制御の分野では、特に低電圧用途でGaNデバイスの利用が増えています。このホワイト・ペーパーでは、モーター制御用途でのGaN FETの最適な利用に関する設計者向けのガイドラインを提供し、その利点を特定し、主な問題について説明します。

スイスのEnergiesジャーナル誌
2021年10月
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GaNベースのインバータのEPC9145は、範囲、精度、トルクに関するモーターの性能を向上させ、ボーナスとして、電解コンデンサを排除して、システム全体のコストを削減し、信頼性を高めます。サイズが非常に小さいため、モーターのハウジングに統合して、EMI（電磁干渉）雑音を最小限に抑え、密度を最大化し、重さを最小化することができます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月9日、eGaN^® FETのEPC2206を使った1 kWの3相BLDCモーター駆動用インバータ「EPC9145」を発売したと発表しました。

EPC9163は、48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータです。マイルドハイブリッド車やバッテリー電源バックアップ・ユニット向けの小型ソリューションで、効率96.5％で2 kWを供給できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月2日、非常に小さな面積であり、かつ効率96.5％で動作する2 kWで48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータ「EPC9163」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードの設計はスケーラブルです；すなわち、2つのコンバータを並列接続して4 kWにしたり、3つのコンバータを並列接続して6 kWにしたりできます。この基板は、8個の100 VのeGaN^® FET（EPC2218）を搭載しており、米マイクロチップ・テクノロジーの16ビット・デジタル・コントローラdsPIC33CK256MP503を備えたモジュールによって制御されます。

50 W、12 V入力、60 V出力のeGaN^® FETベースの昇圧型同期コンバータは、シンプルで低コストの構成で、温度上昇が小さく、ピーク効率95.3％を実現します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月19日、バック（降圧型）または逆ブースト（昇圧型）の双方向コンバータである「EPC9162」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードは、同期コンバータ向けの100 VのEPC2052と、同期ブートストラップFET回路のEPC2038を搭載しています。

今月は、FETの分野が賑わいました。従来のシリコン・トランジスタとは興味深い点で異なるEPC、米UnitedSiC、米インテルのFETです。

米ニュース・サイトAll About Circuits
2021年10月
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LLC共振コンバータの設計は、eGaN FETが現代の電源回路の物理的サイズを、いかに小型化できるかを示します。

英ニュース・サイト米Power Electronic Tips
2021年10月
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窒化ガリウムのFETとICを使ったLidar（光による検出と距離の測定）、DC-DC変換、モーター駆動、低コスト衛星などのGaNデバイスとアプリケーションが、この書籍『GaN devices and applications』の内容の中心です。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月12日、窒化ガリウムの技術とアプリケーションに関する最新情報を求めるプロの技術者、システム設計者、電気工学の学生に向けた貴重な学習資料を発行したと発表しました。

過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、その他の民生用電子機器の各システムは、より薄くなり、さらに強力になりました。この結果、市場は、より高い電力密度を備えたより薄い電源ソリューションに対する需要を増やし続けています。この記事では、定格250 Wの超薄型48 V入力、20 V出力に対して、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を採用することの実現可能性を検証します。さまざまな非絶縁型構成の長所と短所、および回路構成がコンバータの損失の大部分を占める２つの部品であるパワー・トランジスタと磁気部品、特にコイルの選択に、どのように影響するかを検証します。この記事では、コイルの損失、コイルのサイズ、およびEMI（電磁干渉）雑音への影響を含む設計のトレードオフを決める要因の調査など、これらの用途向けの薄いコイルを設計するときの課題の詳細な分析も行います。この作業では、超薄型のマルチレベル・コンバータ構成を選択し、構築し、テストしました。このコンバータから得られた実験結果は、98％を超えるピーク効率をもたらす動作設定と部品選択をさらに洗練するために使いました。

Michael de Rooij、 EPC
Quentin Laidebeur、独ウルト・エレクトロニクス

IEEE Power Electronics Magazine誌
2021年9月
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データ処理インフラの継続的で急速な成長に伴い、より高い電力レベルが最小の面積で得られることが求められています。

米Power Systems Design誌
2021年9月
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EPC9137は、48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータで、マイルドハイブリッド車やバッテリー電源バックアップ・ユニット向けの小型なソリューション・サイズで、1.5 kWを供給でき、効率97％が得られます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月11日、非常に小さな実装面積で、効率97％で動作する1.5 kWで48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータ「EPC9137」を製品化しました。このデモ・ボードの設計は、スケーラブルです。つまり、2つのコンバータを並列接続して3 kWにしたり、3つのコンバータを並列にして4.5 kWにしたりすることができます。この基板は、100 VのeGaN^® FETであるEPC2206を4個搭載しており、米マイクロチップ・テクノロジーの16ビット・デジタル・コントローラdsPIC33CK256MP503を搭載したモジュールによって制御されます。

最近、Efficient Power Conversion（EPC）は、eGaN^® FETをデータシートの制限を超える一連のテストを実施し、さまざまな過大ストレス電圧と過大ストレス電流の影響を定量化しました。この結果はここで初めて公開されます。

独Bodo’s Power Systemss
2021年5月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、ロボット、ドローン、3次元センシング、自動運転車など、飛行時間（ToF）型Lidar用途向けに、より高性能で、より小型なソリューションを提供する新しい窒化ガリウム（GaN）集積回路（IC）製品ファミリーの最初の製品を発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月23日、ロボット、監視システム、ドローン、自動運転車、掃除機で使われる飛行時間ToF（time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに、ゲート・ドライバと、3.3 Vの論理レベル入力を備えた40 V、10 AのFETをワン・チップに集積化したレーザー・ドライバを製品化したと発表しました 。

この記事では、特にチップスケール・パッケージ（CSP）において、電力密度の増加によって熱管理が引き起こす課題について説明します。ただし、見過ごされがちなのは、CSPのeGaN^®のパワーFETと集積回路は、ヒートシンクを取り付けるという簡単な方法で標準的なプリント回路基板に実装すると、優れた熱特性が得られることです。シミュレーションは、実験的検証によってサポートされており、さまざまなパラメータと熱流経路の影響を調べて、性能対コストの設計に関するガイダンスを提供します。

独Bodo’s Power Systems
2021年2月
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