GaNを最後のフロンティアに持ち込むため、米EPC Spaceは、宇宙ベースのアプリケーションにおける大電流スイッチング向けに2種類の新しい耐放射線GaNトランジスタを製品化しました。商用衛星の数が増え続けるにつれて、設計者は、電流処理が改善された宇宙対応パワー・エレクトロニクスのためのより多くのオプションを必要としています。

米オンライン・サイトAll About Circuits
2023年9月
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より多くの処理電力で、より複雑な負荷が、軌道上または深宇宙ミッションに配置されると、場合によっては、2つ以上のパワー・スイッチを並列にする必要があります。 ただし、FSMD-A/B/C/Dなどの従来のパワー・デバイス・パッケージと、そのI/Oパッドの準備では、性能を意識した方法で、これらのデバイスの並列接続を実現することが困難です。これらのパッケージ上のゲートとソースの検出パッドは、並列接続されると、ドレインとソースの接続、またはゲートとソースの検出パッドのパッケージ間での最も高効率／最短の相互接続を阻害することになります。したがって、並列構成では、最適化されたドレイン-ソース間負荷回路の性能とゲート-ソース間の検出駆動ループの性能の間には常に妥協点が存在します。この記事では、FSMD-GディスクリートHEMTパッケージを紹介し、GaN HEMTを並列接続するときに、I/Oパッドの再構成によって、これらの制限をどのように克服するかについて説明します。

米How2Power誌
2023年9月
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米EPC Spaceは、宇宙搭載パワー・コンバータやその他の過酷な環境向けに放射線耐性のある窒化ガリウム・デバイスを製品化しました。

英Electronics Weekly紙
2023年8月
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GaNデバイスは、信頼性、放射線耐性、宇宙遺産に関連する課題に対処し、宇宙産業の要求に沿った多くの利点を提供します。

米Power Electronics News誌
2023年8月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、電力変換ソリューション向けの放射線耐性のある（耐放射線）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、定格62 Aおよび 250 Aの 2種の新しい耐圧40 Vのデバイスを製品化しました。宇宙およびその他の高信頼性の厳しい用途に対応します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は7月18日、定格40 Vの耐放射線（Rad Hard）GaN FET を2品種製品化したと発表しました。「EPC7001」は、実装面積が7 mm²と小さく、耐圧40 V、オン抵抗4 mΩ、パルス電流250 Aの耐放射線GaN FETです。「EPC7002」は、40 V、14.5 mΩ、パルス電流62 Aの耐放射線GaN FETで、実装面積は1.87 mm²と非常に小型です。いずれのデバイスも、ドレイン-ソース間電圧VDSが最大ブレークダウン定格の100%のとき、総線量定格は1000K Rad(Si) 以上で、LET（線エネルギー付与）に対するSEE（シングル・イベント効果）耐性は 83.7 MeV/mg/cm²です。これらの新しいデバイスは、他の耐放射線ファミリーと同様に、チップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版は、米EPC Space.から入手できます。

Spirit：Behind the Screenのこのエピソードでは、米Spirit ElectronicsのCEO（最高経営責任者）のMarti McCurdyが、EPCのCEOのAlex Lidow（アレックス・リドウ）およびマーケティング・ディレクタのRenee YawgerとGaNの進歩について話します。彼らは、EPCのフェーズ15の信頼性レポートに詳述されている広範なテスト、故障モード、デバイス寿命だけでなく、強い放射線下でのGaNの性能についても議論しています。GaNの可能性は、まだ探求されておらず、新しいハーフブリッジ・ドライバ、ローサイド・ドライバ、フルパワー段などの新しいEPC製品が次々と製品化されているため、GaNは、特に新宇宙や商業宇宙の用途に役立ちます。

Spirit: Behind the Screen
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Efficient Power Conversion（EPC）は、定格100 Vと200 Vの 2種の新しいデバイスを製品化しました。これによって、電力変換ソリューション向けの耐放射線（Rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張したので、多数の過酷な宇宙用途や、その他の高信頼性用途に対応できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月11日、2種の新しい耐放射線GaN FETを製品化したと発表しました。１つは「EPC7020」で、定格200 V、オン抵抗11 mΩ、パルス電流170 Aの耐放射線GaN FETであり、面積が12 mm2と小型です。もう1つの「EPC7003」は、100 V、30 mΩ、パルス電流42 Aの耐放射線GaN FETで、面積は1.87 mm2と超小型です。いずれのデバイスも、総線量の定格が1000K Rad(Si)以上で、定格ブレークダウンの最大100%のドレイン-ソース間電圧VDSで 83.7 MeV/mg/cm²の LET（Linear Energy Transfer）に対するSEE（シングル・イベント効果）耐性があります。これらの新しいデバイスは、このほかの耐放射線（Rad Hard）ファミリーのEPC7019, EPC7014、EPC7004、EPC7018、EPC7007と共に、商用eGaN^® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版はEPC Spaceから入手できます。

GaNパワー・デバイスは、さまざまな形態の放射線に曝されたときに、耐放射線のMOSFETよりも丈夫なので、宇宙での電力変換用途に最適な選択肢となるはずです。GaN の電気的および熱的な性能は、宇宙環境での優れた動作も実証しています。このポッドキャストでは、米EPC Spaceの最高経営責任者（CEO）であるBel Lazarが、宇宙産業におけるGaNの重要性を分析します。同社のCEOとしての役割に加えて、同氏は現在、Efficient Power Conversion（EPC）のCOO（最高執行責任者）も務めています。

米EETimes誌
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Efficient Power Conversion（EPC）は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線（rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、この製品ファミリーに5番目の耐放射線デバイスを追加します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月30日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7004」を製品化すると発表しました。EPC7004は、耐圧100 V、オン抵抗7 mΩ、パルス電流160 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は6.56 mm²と小型です。EPC7004の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7004、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019、EPC7018は、市販のeGaN® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線（rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、現在市場に出回っている100 Vの耐放射線トランジスタの中で最もオン抵抗が小さい100 Vのデバイスを製品化します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月14日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7018」を製品化すると発表しました。EPC7018は、耐圧100 V、オン抵抗3.9 mΩ、パルス電流345 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は13.9 mm²と小型です。EPC7018の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7018、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019は、市販のeGaN^® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、現在市場に出回っている耐放射線トランジスタの中でオン抵抗が最も低いデバイスを使って、厳しい宇宙搭載環境やその他の高い信頼性が必要な環境での電力変換ソリューション向けに、耐放射線特性を強化した窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを発売しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月15日、耐放射線特性を強化したeGaN FETの「EPC7019」を発売したと発表しました。EPC7019は、耐圧40 V、オン抵抗1.5 mΩ、パルス電流530 A_Pulsedの耐放射線eGaN FETで、実装面積が13.9 mm²と小型です。EPC7019の総線量定格は1 Mrad以上で、LETに対するSEE（シングル・イベント効果）耐性は85 MeV/(mg/cm²)です。これらのデバイスは、市販のeGaN FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止版は、米EPC Space社から入手できます。

地球の大気の外側や宇宙が商用開発に開かれるにつれて、モーターは、さまざまな機能向けに、そこに配置されたシステムにとってますます重要になるでしょう。宇宙向けの製造は避けられないため、モーター（ドライバを含む）は、さらに多くの機能を果たします。同様に重要なことは、これらのモーターを高効率かつ高信頼性で駆動するために選択されたモーター・ドライバです。

米ニュースサイトComponents in Electronics
2021年10月
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窒化ガリウム（GaN）・パワー半導体は、宇宙用途の過酷な放射線環境における革新を可能にします。

英Electronics Weekly誌
2021年9月
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半導体を放射線の影響から絶縁するために特定の製造プロセスとパッケージングが必要なシリコンとは異なり、GaNデバイスは、その物理的特性と構造によって、宇宙放射線によって引き起こされる損傷に対して大きな耐性があります。EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）とのインタビューで、Power Electronic News誌は、宇宙用途向けのGaNの特徴を発見しました。

米Power Electronics News誌
2021年9月
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宇宙用途の技術は、2021年の重要な部分であり、したがって、放射線耐性のある部品がさらに前面に出てきています。最近、2つの新しいFETが登場しましたが、それらはこの宇宙に何をもたらすのか？

米オンライン・ニュースAll About Circuits
2021年6月
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窒化ガリウム・パワー・デバイス技術は、これまでに達成できなかったより高い周波数、より高い効率、およびより高い電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。GaNパワー・デバイスは、デバイスの設計によって、シリコンMOSFETと比べて優れた放射線耐性が得られる可能性があります。

英Power Electronics Europe誌
2020年12月
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GaNパワー・トランジスタは、極めて厳しい宇宙ミッションをサポートするためのパワーやRFの用途に対して理想的な選択肢です。米EPC Space社は、新しいeGaN^®ソリューションによって宇宙の商用衛星の厳しい用途向けに特別に設計されたデバイスに対して、耐放射線特性やSEE（シングル・イベント効果）の耐性を保証します。これらのデバイスは、非常に高い電子移動度と、非常に低いオン抵抗R_DS(on)値と共に小さい温度係数を備えています。

米EETimes誌
2020年7月
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合弁企業であるEPC Space社は、先進的な高信頼性の窒化ガリウム（GaN）電力変換ソリューションを環境が厳しい宇宙やその他の高信頼性環境に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）と米 HEICO社（NYSE：HEI.A）（NYSE：HEI）傘下の米VPT社は6月16日、衛星や高信頼性用途向けパッケージに封止し、テストし、認定された耐放射線特性を強化した（Rad Hard）GaNオン・シリコンのトランジスタとICの設計と製造に焦点を当てた合弁会社EPC Space社を設立したと発表しました。

今週、宇宙旅行関連の2つの話題が私の机上に現れました。1つは、主要な国際的なヘッドラインとして突然出現し、もう1つは、私の電子メール画面に極めて静かに表れました。

このヘッドラインになった話題は、イーロン・マスク氏がCEO（最高経営責任者）を務める米スペースXが、ダミー・ドライバ（人形）を乗せた米テスラのスポーツ・カーを搭載したロケットの打ち上げ成功したこと。2つ目は、宇宙用途に適した窒化ガリウム技術についてでした。

米ニュースサイトElectro Pages
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ISL7002xSEH GaN FET とISL70040SEHローサイドGaN FETドライバが、打ち上げ機および人工衛星の電源供給を実現

先端の半導体ソリューションの主要サプライヤであるルネサスエレクトロニクス（本社：東京都江東区、証券コード：6723）は2月7日、宇宙産業初となる、耐放射線パッケージの窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）およびローサイドGaN FETドライバを発表しました。新製品は、打ち上げ機と人工衛星ならびにダウンホール掘削や高信頼性工業用途の1次および2次DC/DCコンバータ電源に使用可能です。これらのデバイスは、フェライト・スイッチ・ドライバ、モータ制御ドライバ回路、ヒータ制御モジュール、埋め込みコマンド・モジュール、100Vおよび28V電力調整、ならびに冗長スイッチング・システムを駆動します。

プレスリリース掲載ウエブサイトの米ビジネスワイヤ
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