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モーター制御用途における低電圧GaN FET;問題と利点:総括

モーター制御用途における低電圧GaN FET;問題と利点:総括

モーター制御の分野では、特に低電圧用途でGaNデバイスの利用が増えています。このホワイト・ペーパーでは、モーター制御用途でのGaN FETの最適な利用に関する設計者向けのガイドラインを提供し、その利点を特定し、主な問題について説明します。

スイスのEnergiesジャーナル誌
2021年10月
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米Peregrine Semiconductor社、世界最速のGaN FETドライバを発表

米Peregrine Semiconductor社、世界最速のGaN FETドライバを発表

GaNベースのFETは、電力変換市場を破壊し、シリコン・ベースの金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を置き換え続けています。MOSFETに比べて、GaN FETは、はるかに高速に動作し、可能な限り小さな体積で、より高いスイッチング速度を実現できます。GaNの可能性は、任意の電源のサイズと重さを劇的に削減できることです。その潜在性能を引き出すためには、この高性能GaNトランジスタに最適化されたゲート・ドライバが必要です。

米Peregrine Semiconductor社
2016年7月12日
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Driving eGaN™ FETs Both gate and Miller capacitances are significantly lower

As enhancement mode gallium-nitride-on-silicon transistors (eGaN™) gain wider acceptance as the successor to the venerable - but aged - power MOSFET, designers have been able to improve power conversion efficiency, size, and cost. eGaN FETs, however, are based on a relatively new and immature technology with limited design infrastructure to quickly design and implement products.

By Johan Strydom PhD, Director of Application Engineering EPC
Bodo’s Power Systems
November, 2010

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