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eGaN® パワー・トランジスタは、電力変換特性の水準を高くし続けています。低オン抵抗（内部抵抗）、低容量、大電流、および優れた熱特性が、効率98％以上の電力変換を可能にします。
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エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年7月8日、新しい世代のパワー・トランジスタ6品種と、これらに対応する開発基板を発売しました。これらのパワー・トランジスタは、耐圧が30 V～200 Vの範囲で、オン抵抗（内部抵抗）を非常に低減しているので、大電力密度のDC-DCコンバータ、POL（負荷点）コンバータ、DC- DCおよびAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED（発光ダイオード）照明、産業用オートメーションなどの用途で出力電流能力を大きく増加させることができます。
新しいeGaN FET製品と用意した開発基板
| EPC2023 |
30 V |
1.3 mΩ |
590 A |
150°C |
EPC9031 |
EPC9018 |
| EPC2024 |
40 V |
1.5 mΩ |
550 A |
150°C続きを読む
EL SEGUNDO, Calif.--(BUSINESS WIRE)—Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announced that the company has made available on its web site SPICE models for all of its enhancement mode GaN transistors.
TSPICE, PSPICE, and LTSPICE device models have been developed to help the designer of advanced GaN-based power conversion circuits and systems understand the value of this new power transistor family and reduce their time-to-market with benchmark products. These free downloads are available at:
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