電源設計者は、GaN技術によって、大きさと重さ、効率、EMI(電磁干渉)雑音、電力密度に対する設計を最適化できます。スイッチング能力の向上と寄生成分の低減は、損失の低減につながるので、技術者はスイッチング周波数を高めて、磁気部品の大きさと重さの削減、ヒートシンクの削減または排除、銅損の低減を実現できます。これらの利点によって、効率を犠牲にすることなく、システムの大きさと重さを全体的に削減できます。GaNベースの電源は、深宇宙や惑星間宇宙探査に加えて、マイクロ、低地球軌道(LEO)、静止地球軌道(GEO)の各衛星、ロボット搭載電源の小型軽量化、およびその他の信頼性の高い航空宇宙システムや防衛システムにおいて、より高い周波数、より高い効率、高い電力密度で動作します。
デバイスの電圧範囲は、幅広いバス電圧とディレーティング(定格低減)要件に対応する15 V~350 V
EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。
ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。
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