GaNは効率を高め、サイズを縮小し、より低温動作を可能にします

AC/DC電源

GaNのスイッチング損失が小さいため、シリコン・ベースの設計と比べて、より高いスイッチング周波数とより高い電力密度が得られます。これによって、より小型で軽量な設計を提供するより小型の受動部品の利用が可能になります。

GaN FETとICは、サイズが小さいにもかかわらず、シリコンに比べて優れた熱特性が得られます

GaN AC/DC Communications

リファレンス・デザイン

通信用AC/DCのリファレンス・デザイン

型番 構成 VIN VOUT lOUT
(A)
FSW
(kHz)
搭載製品  
PMP20978 開発基板
PMP20978 高電圧 GaN FET を搭載した高効率、高電力密度 1kW 共振コンバータのリファレンス・デザイン 390 V 48 V 21 A EPC2033 Contact TI

EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。

ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。

製品

通信用AC/DC変換向けの推奨デバイス

型番 狀況 構成 VDS
最大
VGS
最大
最大
RDS(on)
(mΩ)
@5VGS
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
ID (A) パルス ID
(A)
パッケージ
(mm)
EPC2055 Preferred シングル 40 6 3.6 6.6 2.3 0.7 13 29 161 LGA 2.5 x 1.5 購入
EPC2067 Preferred シングル 40 6 1.55 17.1 5.3 2 37 69 409 LGA 3.25 x 2.85 購入
EPC2066 Preferred シングル 40 6 1.1 25 8.9 3.2 59 90 639 LGA 6.05 x 2.3 購入
EPC2206 Preferred シングル AEC 80 6 2.2 15 4.1 3 72 90 390 LGA 6.05 x 2.3 購入
EPC2044 Preferred シングル 100 6 10.5 4.3 1.3 0.5 15 9.4 89 BGA 2.15 x 1.25 購入
EPC2204 Preferred シングル 100 6 6 5.7 1.8 0.8 25 29 125 LGA 2.5 x 1.5 購入
EPC2088 Preferred シングル 100 6 3.2 12.5 4.4 1.4 47 60 231 LGA 3.5 x 1.95 購入
EPC2302 Preferred シングル 100 6 1.8 23 8.9 2.3 85 101 408 QFN 3 x 5 購入
EPC2305 Engr シングル 150 6 3 21 6.3 2.6 105 102 329 QFN 3 x 5 購入
EPC2059 Preferred シングル 170 6 9 5.7 1.3 0.9 35 24 102 LGA 2.8 x 1.4 購入
EPC2207 Preferred シングル 200 6 22 4.5 1.3 0.7 23 14 54 LGA 2.8 x 0.925 購入
EPC2307 Engr シングル 200 6 10 10.6 3.8 1.3 58 48 130 QFN 3 x 5 購入
EPC2215 Preferred シングル 200 6 8 13.6 3.3 2.1 69 32 162 LGA 4.6 x 1.6 購入
EPC2050 Preferred シングル 350 6 80 2.9 1.3 0.3 35 6.3 26 BGA 1.95 x 1.95 購入
GaN Power Bench

あなたの設計プロセスを支援するために、クロス・レファレンス検、設計ツール、モデル、およびGaN Power Benchの特性シミュレーションにアクセスしてください。

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