高周波、低消費電力、システム・コストの削減

包絡線追跡は、今日の固定電源システムとは対照的に、電力需要を追跡することによって、RFパワー・アンプのエネルギー効率を改善するための電源技術です。包絡線追跡を使うと、携帯電話では、通話時間が長くなり、基地局では、エネルギー消費がはるかに少なくなり、運用コストが下がり、より小型で安価なアンプになります。

サブナノ秒程度のスイッチング遷移速度の窒化ガリウム・パワー・トランジスタは、ET(包絡線追跡)コンバータと広帯域幅RFパワー・アンプの設計の両方を実現する技術です。GaN FETの超高速スイッチング能力によって、包絡線追跡で使われるマルチフェーズの高周波バック・コンバータやその他のパワー・マネージメント(電源管理)回路構成が可能になります。

Communications GaN Envelope Tracking

リファレンス・デザイン

高速ハーフブリッジ開発基板

型番 構成 VIN VOUT lOUT
(A)
搭載製品  
TIDA-01634 Demonstration Board
TIDA-01634 高速DC/DC向けのマルチMHz(最大50 MHz)
のGaNパワー段リファレンス・デザイン
20 ~ 60 5 ~ VIN-5 5 EPC8009 購入
EPC9066 Demonstration Board
EPC9066 同期ブートストラップ付きハーフブリッジとドライバ 32 40 2.7 EPC8004 購入
EPC9067 Demonstration Board
EPC9067 同期ブートストラップ付きハーフブリッジとドライバ 52 65 2.7 EPC8009 購入
EPC9068 Demonstration Board
EPC9068 同期ブートストラップ付きハーフブリッジとドライバ 80 100 2.7 EPC8010 購入

EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。

ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。

製品

包絡線追跡向けの推奨デバイス

型番 狀況 構成 VDS
最大
VGS
最大
最大
RDS(on)
(mΩ)
@5VGS
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
ID (A) パルス ID
(A)
パッケージ
(mm)
EPC8004 Active シングル 40 6 110 0.37 0.12 0.047 0.63 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 購入
EPC8002 Active シングル 65 6 480 0.133 0.057 0.015 0.344 2 2 LGA 2.05 x 0.85 購入
EPC8009 Active シングル 65 6 130 0.37 0.12 0.055 0.94 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 購入
EPC2038 Active ゲート・ダイオード内蔵のシングル 100 6 3300 0.044 0.02 0.004 0.134 0.5 0.5 BGA 0.9 x 0.9 購入
EPC2038 Active ゲート・ダイオード内蔵のシングル 6 BGA 0.9 x 0.9 購入
EPC2037 Active シングル 100 6 550 0.115 0.032 0.025 0.6 1.7 2.4 BGA 0.9 x 0.9 購入
EPC8010 Active シングル 100 6 160 0.36 0.13 0.06 2.2 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 購入
EPC2051 Preferred シングル 100 6 25 1.8 0.6 0.3 7.3 1.7 37 BGA 0.85 x 1.3 購入
GaN Power Bench

あなたの設計プロセスを支援するために、クロス・レファレンス検、設計ツール、モデル、およびGaN Power Benchの特性シミュレーションにアクセスしてください。

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技術資料

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