EPC1012：エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 200 V
RDS(on), 100 mΩ
ID, 3 A

EPC1012 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：1.7 mm × 0.9 mm

アプリケーション

  • 高速DC-DC変換
  • 高周波のハード・スイッチングとソフト・スイッチング
  • パルス電流アプリケーション

特徴

  • Ultra High Efficiency
  • Ultra Low RDS(on)
  • Ultra Low QG
  • Ultra small footprint
ステータス:廃止
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