EPC9081：開発基板

EPC9081：200 V, 15 Aの開発基板

開発基板のEPC9081は、最大デバイス電圧200 V、最大出力電流15 Aで、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジです。エンハンスメント・モード（eGaN^®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2047を搭載しています。

GaN FETのEPC2047の評価プロセスを単純化するために、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品が搭載されています。