EPC9509:開発基板

EPC9509:ワイヤレス・パワー伝送システム向けの60 VでZVSのD級アンプ基板

EPC9509は、6.78 MHz(ISM帯で最も低い)で動作し、高効率、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)、D級のワイヤレス・パワー・アンプのデモ・ボードです。このデモ・システムの目的は、既存のシステムに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載することによってeGaN® FETを使ったワイヤレス・パワー・アンプ技術の評価プロセスを単純化することです。

このアンプ基板は、ハーフブリッジ構成のエンハンスメント・モード電界効果トランジスタ(FET)で定格60 VのeGaN FETであるEPC2108と、集積化された同期ブートストラップFETを搭載しています。

このアンプは、差動モードまたはシングルエンド・モードで動作するように設定され、A4WP規格に基づくワイヤレス・パワー制御のための動作を確実にするプリレギュレータのゲート・ドライバ、発振器、フィードバック・コントローラを搭載しています。これは、±50j Ωと大きな負荷範囲にわたって、A4WPクラス3規格との互換性テストが可能です。プリレギュレータは、SEPICコンバータのメイン・スイッチング・デバイスとして、定格100 Vで65 mΩのEPC2036を備えています。

表1:特性の概要(TAA = 25°C):アンプ基板EPC9509

EPC9509 Parameters Table*最大電流はチップの温度に依存します:実際の最大電流は、スイッチング周波数、バス電圧、熱に依存します。