EPC9003:開発基板

EPC Development Board

VDS(最大値)、200 V
ID(最大実効値)、5 A
ハーフブリッジとドライバ

開発基板EPC9003は、面積2インチ×1.5インチで、テキサス・インスツルメンツ社のゲート・ドライバLM5114を使うハーフブリッジ構成の2個のGaN FET(EPC2010)を搭載しているだけでなく、電源回路とバイパス・コンデンサも搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性のために、すべての重要な部品を搭載し、レイアウトしてあります。簡単に波形を測定して、効率を計算できるように、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。

ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC90124を提案しています。
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