EPC9004C：開発基板

EPC9004C:200 V のハーフブリッジ開発基板

開発基板EPC9004Cは、エンハンスメント•モード（eGaN^®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2012Cを搭載し、ゲート駆動機能を備えたハーフブリッジ構成で、最大デバイス電圧は200 V、最大出力電流は2Aです。

この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することで、eGaN FETであるEPC2012Cの評価プロセスを単純化することです。