EPC9006C：開発基板

EPC9006Cは、デバイスの最大電圧100 V、最大出力電流7 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスは、エンハンスメント・モード（eGaN^®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2007C を搭載しています。

この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETである EPC2007C の評価プロセスを単純化することです。