EPC90121:開発基板

EPC90121:350 V、4 Aのハーフブリッジ開発基板

EPC90121の開発基板

開発基板のEPC90121は、最大デバイス電圧350 V、最大出力電流4 Aで、ゲート・ドライブ回路を備え、GaN電界効果トランジスタ(FET)のEPC2050を搭載しています。この開発基板の目的は、多くの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品を搭載することによって、EPC2050の評価プロセスを単純化することです。

開発基板EPC90121のサイズは2インチ×2インチ(2インチは2.54 cm)で、米オン・セミコンダクターのゲート・ドライバNCP51820を備え、ハーフブリッジ構成の2個のGaN FET(EPC2050)を搭載しています。この基板には、すべての重要な部品が搭載されており、レイアウトは最適なスイッチング特性をサポートしています。簡単な波形測定と効率計算を容易にするために、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。

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