EPC90123: 100 V, 25 Aのハーフブリッジ開発基板
開発基板EPC90123は、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2218を搭載し、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流25 Aでゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。
T開発基板のEPC90123の面積は、2インチ×2インチ（1インチは2.54 cm）で、2個のEPC2218（eGaN FET）と1個のEPC2218（eGaN FET）と1個のEPC2038（eGaN FET）がハーフブリッジ構成で搭載されており、台湾uPI Semiconductorのゲート・ドライバuP1966Eを使っています。
GaN FETのEPC2218の評価プロセスを単純化するために、既存の任意のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載しています。ビデオ：EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法