EPC90135:80 V、45 AのGaNベースのハーフブリッジ開発基板

EPC90135:80 V、45 Aの大電流用途の並列評価

EPC90135の開発基板

ゲート・ドライバを備えた開発基板EPC90135は、定格100 VのeGaN®FET(EPC2218)を搭載しています。この開発基板の目的は、既存のコンバータ構成の大部分に簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品を搭載することによって、大電流動作向けの並列接続したEPC2218の評価プロセスを単純化することです。

開発基板のEPC90135の面積は2インチ×2インチ(1インチは2.54 cm)で、4つのハーフブリッジ構成に8個のEPC2218(GaN FET)を使っています。EPC90135は、台湾uPI Semiconductorのゲート・ドライバuP1966Eを備えています。この基板には、すべての重要な部品が含まれており、レイアウトは最適なスイッチング特性をサポートします。簡単な波形測定と効率計算を容易にするためのさまざまなプローブ・ポイントも備えています。

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