EPC90141：eGaN® FET のEPC2070を使った100 Vのハーフブリッジ開発基板
開発基板のEPC90141は、eGaN FETのEPC2070を搭載した最大デバイス電圧100 Vのハーフブリッジです。この開発基板の目的は、既存のコンバータ構成の大部分に簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品を搭載することによって、EPC2070の評価プロセスを簡単化することです。
開発基板EPC90141の面積は2インチ×2インチ（１インチは2.54 cm）で、ハーフブリッジ構成の2個のeGaN FET （EPC2070）を搭載しています。この基板には、すべての重要な部品も含まれており、レイアウトは最適なスイッチング特性をサポートしています。簡単な波形測定と効率計算を容易にするために、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。