EPC90143は、定格150 VのEPC2305（eGaN®FET）を搭載し、基板上にゲート駆動回路を備えたハーフブリッジ開発基板です。この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品を搭載することによって、EPC2305の評価プロセスを単純化することです。.
開発基板EPC90143の面積は2インチ×2インチ（1インチは2.54 cm）で、ハーフブリッジ構成に2個のEPC2305（GaN FET）を使っています。EPC90143は、米オン・セミコンダクターのゲート・ドライバNCP51820を備えています。この基板には、すべての重要な部品が含まれており、レイアウトは最適なスイッチング特性をサポートします。波形測定と効率計算を容易にするためのさまざまなプローブ・ポイントもあります。