EPC90147：100 V、22 Aのハーフブリッジ開発基板
GaN ePower™ Stage ICのEPC23102を搭載
開発基板のEPC90147は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流22 A、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジで、集積化したePower™ StageのEPC23102を搭載しています。この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一の基板にすべての重要な部品を搭載することによって、EPC23102の評価プロセスを単純化することです。
開発基板EPC90147の面積は 2インチ×2インチ（50.8 mm×50.8 mm）で、ハーフブリッジ構成の集積化ePower™ StageのEPC23102を1個搭載しています。この基板には、すべての重要な部品も含まれており、レイアウトは最適なスイッチング性能をサポートします。簡単な波形測定と効率計算を容易にするためのさまざまなプローブ・ポイントも備えています。