EPC90153：EPC2619を搭載した80 V、20 Aのハーフブリッジ開発基板
EPC90153、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジ開発基板で、定格100 VのGaN電界効果トランジスタ（FET）であるEPC2619を備えたハーフブリッジです。この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品を搭載することによって、EPC2619の評価プロセスを単純化することです。
開発基板のEPC90153は、面積が2インチ×2インチ（50.8 mm×50.8 mm）で、2個のGaN FET（EPC2619）を使ったハーフブリッジ構成が含まれています。EPC90153は、ゲート・ドライバuP1966Eを備えています。この基板には、すべての重要な部品も含まれており、レイアウトは最適なスイッチング特性をサポートします。簡単な波形測定と効率計算を容易にするためのさまざまなプローブ・ポイントもあります。