EPC90154:100 V、25 AのGaNベースのハーフブリッジ開発基板

EPC90154:EPC2088を搭載した100 V、25 Aのハーフブリッジ開発基板

EPC90154の開発基板

EPC90154、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジ開発基板で、定格100 VのGaN電界効果トランジスタ(FET)であるEPC2088を備えたハーフブリッジです。この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品を搭載することによって、EPC2088の評価プロセスを単純化することです。

開発基板のEPC90154は、面積が2インチ×2インチ(50.8 mm×50.8 mm)で、2個のGaN FET(EPC2088)を使ったハーフブリッジ構成が含まれています。EPC90154は、ゲート・ドライバuP1966Eを備えています。この基板には、すべての重要な部品も含まれており、レイアウトは最適なスイッチング特性をサポートします。簡単な波形測定と効率計算を容易にするためのさまざまなプローブ・ポイントもあります。

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