EPC9022：開発基板
高速に、 もっと速く

V_DS（最大値）, 65 V
I_D（最大実効値）, 1.6 A
ハーフブリッジとドライバ

この開発基板は、高周波エンハンスメント・モード（eGaN^®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC8000ファミリーに加え、ゲート駆動回路も搭載したハーフブリッジ構成です。これらの開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板にすべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETのEPC8000ファミリーの評価プロセスを単純化することです。