EPC9031:開発基板

EPC9031 : 30 V のハーフブリッジ開発基板

EPC Development Board

EPC9018は、デバイスの最大電圧30 V、最大出力電流40 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスは、エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)の EPC2023 を搭載しています。

この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETである EPC2023 の評価プロセスを単純化することです。

ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC90138を提案しています。
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* 最大電流は、チップの温度に依存します:実際の最大電流は、スイッチング周波数、バス電圧、熱の冷却にも依存します。
# ハイサイドのブートストラップ電源を「リフレッシュ」するために必要な時間に依存します。