EPC9039:開発基板

EPC9039:80 Vでエンハンスメント・モードのモノリシック・
ハーフブリッジ用開発基板

20 Aで97%以上のシステム効率

開発基板EPC9039は、eGaNIC(エンハンスメント•モード窒化ガリウム集積回路)のEPC2103を搭載し、ゲート駆動機能を備えたハーフブリッジ構成で、最大デバイス電圧は80 V、最大出力電流は17Aです。

この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することで、eGaNICであるEPC2103の評価プロセスを単純化することです。

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EPC9039 Efficiency Chart
標準的な効率: VIN=42 VOUT=12 V
EPC9039 Parameters Table
* Maximum input voltage depends on inductive loading.
** Maximum current depends on die temperature – actual maximum current will be subject to switching frequency, bus voltage and thermal cooling.
Symmetrical eGaNIC intended for 50% duty cycle or low step-down ratio applications.
# ハイサイドのブートストラップ電源電圧を「リフレッシュ」するために必要な時間によって制限されます。