EPC9049は、デバイスの最大電圧60 V、最大出力電流4 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスは、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2035を搭載しています。
この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETである EPC2035の評価プロセスを単純化することです。
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48 Vから5 V/4 A（1000kHz）へのバック・コンバータとして動作したときの波形CH1:VPWM入力電圧、CH2:（IOUT）スイッチ・ノード電流、CH4:（VOUT）スイッチ・ノード電圧
* 誘導性負荷と仮定し、最大電流は、チップ温度に依存します：実際の最大電流は、スイッチング周波数、バス電圧、温度の影響も受けます。 # ハイサイドのブートストラップ電源を「リフレッシュ」するために必要な時間に依存します。
48 Vから5 V/4 A（1000kHz）へのバック・コンバータとして動作したときの波形