EPC9063:開発基板

EPC9063:100 Vのハーフブリッジ開発基板

EPC9063 : 100 V Half-Bridge

開発基板のEPC9063は、バック・コンバータまたはZVSのD級アンプとして構成することができます。この同期ブートストラップ付きのゲート駆動は、高効率と高周波動作を可能にします。

EPC9063は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流1.5 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。エンハンスメント・モード(eGaN®)のハーフブリッジEPC2107を搭載しています。ゲート・ドライバは、デバイスEPC2107に内蔵する同期FETのブートストラップ回路で構成されており、ゲート・ドライバの内蔵ブートストラップ・ダイオードの逆回復損失によって引き起こされるハイサイド・デバイスの損失を排除します。

ステータス:廃止
テストと性能の検証のみを目的として開発した完全に組み立てられたリファレンス・デザインであり、販売していません。
さらにサポートが必要な場合は、GaNのエキスパートにお問い合わせください
GaNエキスパートに聞く

設計に関する質問がありますか?
GaNエキスパートに聞く

Performance Summary (TA = 25°C)
EPC Development Board
* 誘導性負荷と仮定し、最大電流は、チップ温度に依存します:実際の最大電流は、スイッチング周波数、バス電圧、温度管理の影響も受けます。
# ハイサイドのブートストラップ電源電圧を「リフレッシュ」するために必要な時間によって制限されます。