EPC9092:開発基板

EPC9092: 100 V, 5 Aのハーフブリッジ開発基板

EPC9092の開発基板

開発基板EPC9092は、エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2052を搭載し、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流5 Aでゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。

開発基板EPC9092は、2インチ×2インチ(1インチは2.54cm)で、ハーフブリッジ構成の2個のeGaN FET(EPC2052)と、米テキサス・インスツルメンツのLMG1205を搭載しています。

GaN FETのEPC2052の評価プロセスを単純化するために、既存の任意のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載しています。ビデオ:EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法

Ask and EPC Engineer a Question FAQ

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EPC9092 Parameters Table
(1) 最大入力電圧は誘導性負荷に依存するため、EPC2052ではスイッチ・ノードの最大リンギングを100 V以下に維持する必要があります。
(2) 最大電流はチップ温度に依存します:実際の最大電流は、スイッチング周波数、バス電圧、熱冷却の影響を受けます。
(3) ハイサイドのブートストラップ電源電圧を「リフレッシュ」するために必要な時間によって制限されます。