EPC9093: 100 V, 20 Aのハーフブリッジ開発基板
開発基板EPC9093は、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2053を搭載し、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流20 Aでゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。
開発基板EPC9091は、面積が2インチ×2インチ（50.8 mm×50.8 mm）で、台湾uPI Semiconductor社のゲート・ドライバuP1966Eを使ったハーフブリッジ構成で2個のeGaN FET（EPC2053）を搭載しています。
GaN FETのEPC2053の評価プロセスを単純化するために、既存の任意のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載しています。ビデオ：EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法
ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC90123を提案しています。