EPC9094：200 V、2 Aの開発基板
EPC9094は、ゲート・ドライバを備えたハーフブリッジ開発基板で、定格200 VのGaN電界効果トランジスタ（FET）のEPC2054を搭載しています。この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一の基板にすべての重要な部品を搭載することによって、EPC2054の評価プロセスを簡素化することです。
この開発基板EPC9094の面積は2インチ×2インチ（1インチは2.54 cm）で、ハーフブリッジ構成のGaN FETのEPC2054を2個搭載しています。EPC9094は、米オン・セミコンダクターのゲート・ドライバNCP51820を備えています。この基板には、すべての重要な部品も搭載されており、レイアウトは、最適なスイッチング特性をサポートしています。簡単な波形測定と効率計算を容易にするために、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。