eGaN FETとICの信頼性レポート:フェーズ9

Efficient Power Conversion(EPC)社のeGaN®デバイスを続けて採用するには、多くのアプリケーションにわたる能力を証明するために、追加の信頼性データが必要です。フェーズ9の信頼性レポートは、以前に公表したEPC社の最初の8件のレポートに加えて、さらに知識ベースを増やすことになります。このレポートの主な部分は、はんだ接合の完全性の予測モデルに焦点を当て、熱機械的な基板レベルの信頼性をカバーしています。付録Aは、レポートで参照されているように、熱サイクル中のはんだ接合の歪みエネルギー密度を計算する方法の詳細を示しています。付録Bには、以前に公表された信頼性レポートの累積された製品固有のストレス・テストのデータ、およびフェーズ8レポートの公開後に収集されたデータも含まれています。

Chris Jakubiec, Rob Strittmatter博士、Chunhua Zhou博士、 Efficient Power Conversion Corporation