功率逆變器應用

與等效MOSFET相比，氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）在給定的導通電阻（R_DS(on)）下，在一個更小尺寸的元件內可實現低很多的電容及電感並且具有零反向恢復電荷（Q_RR），從而減少開關損耗、實現更高效率及/或更高開關頻率。光伏（PV）逆變器的尺寸及成本大致上由散熱管理及用作大量能源存儲及濾波的無源組件決定。採用氮化鎵場效應電晶體可以提高效率，以及/或在增加開關頻率下可以縮減尺寸及降低系統成本。

關於功率逆變器的參考資料

應用筆記 - e面向光伏逆變器應用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）

多級逆變器的概念

用200 V eGaN FET （EPC2010C）的多級逆變器
逆變器的效率在150 kHz時估計是98%

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面向功率逆變器設計的推薦元件

器件型号	配置	V_DS	R_DS(ON)(mΩ) (V_GS = 5 V) 最大值	Q_G (nC) 典型值	Q_GS (nC) 典型值	Q_GD (nC) 典型值	Q_OSS (nC) 典型值	最大脉冲峰值电流 I_D(A) (25°C, Tpulse = 300µs)	封装 (mm)	半桥式开发板
EPC2034C	单路	200	8	11.4	3.8	2.1	95	213	BGA 4.6 x 2.6	EPC9048C
EPC2010C	单路	200	25	3.7	1.3	0.7	40	90	LGA 3.6 x 1.6	EPC9003C
EPC2019	单路	200	50	1.8	0.60	0.35	18	42	LGA 2.8 x 0.95	EPC9014
EPC2012C	单路	200	100	1.0	0.3	0.2	10	22	LGA 1.7 x 0.9	EPC9004C

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