面向高可靠性(Hi-Rel)功率解決方案的氮化鎵場效應電晶體(eGaN^® FET)及積體電路

在嚴峻環境的電源供電應用所採用的元件必需穩固，從而避免元件因電離輻射而損壞或失效，例如宇航、高空飛行或高可靠性軍事應用等。

與目前老化的矽元件相比，商用現貨氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路的體積更小、效率更高及成本更低，而與常用的耐輻射元件相比，由於這些氮化鎵元件及積體電路的電氣性能更高出40倍，從而推動了衛星電源供電、數據傳輸、機械人、無人機及航空電源系統的全新架構的發展。

雷射雷達（lidar）系統採用脈衝雷射，可迅速製成具高解析度、360度的三維圖像。該技術愈來愈普遍用於航天器的自動交會對接、全自動駕駛汽車及機械人。雷射雷達的鐳射速度對製成具超高解析度的圖像非常重要。 相比矽MOSFET元件，氮化鎵技術可以更高速發射雷射訊號，從而使得基於氮化鎵元件的雷射雷達系統可以看得更遠、更快速及更清晰。

Spirit Electronics公司分銷產品以支援面向國防及宇航市場的客戶，在其先進的功率系統，採用氮化鎵場效應電晶體及積體電路。

宜普電源轉換公司（EPC）與業界領袖攜手測試面向軍事及宇航應用的高可靠性氮化鎵產品。這些產品在總劑量輻射效應（TID）及單粒子效應（SEE）環境工作時，展示出其優越的耐輻射性能。EPC公司不保證面向宇航應用的商用裸片的耐輻射性能。

我們的合作夥伴提供高性能封裝及經過耐輻射測試和認證的產品：

Freebird Semiconductor公司與EPC合作開發面向衛星及嚴峻環境的應用的耐輻射氮化鎵功率轉換系統。詳情請瀏覽freebirdsemi.com

Freebird Semiconductor提供耐輻射、多功能功率模組。這些通用的氮化鎵適配器模組(GAM)採用eGaN®開關功率電晶體（HEMT）及配備面向商用衛星、宇航環境的終端產品的氮化鎵基、高速閘極驅動電路。

Renesas'公司的耐輻射產品系列包括面向衛星及其他嚴峻環境應用的氮化鎵場效應電晶體。　氮化鎵元件具備更優越的導電及開關特性，可實現多種系統優勢，包括降低系統的功率損耗。