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宜普電源轉換公司的全新eGaN功率電晶體突破了矽元件之前無可匹敵的成本/速度壁壘

分類: 新聞稿
宜普電源轉換公司的全新eGaN功率電晶體突破了矽元件之前無可匹敵的成本/速度壁壘

全新eGaN®功率電晶體系列以MOSFET元件的價格實現更優越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2035(60 V)及EPC2036 (100 V)eGaN功率電晶體,專爲在價格方面競爭而設計並且在性能上超越矽元件。 價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵(GaN)電晶體的普及化的最後一個壁壘,而價格已經下降。這些全新產品可以替代矽半導體及爲業界續寫摩爾定律的輝煌。

我們用作比較的功率MOSFET元件具有可比的最高導通電阻額定值((RDS(on))及相同的最高擊穿電壓額定值((VDS(max))。此外,以下的數據表比較了顯示開關速度的數據,包括QOSS、QGD及 QG,而較低的數值代表元件具備更優越的性能。

此外,與等效MOSFET元件相比,EPC2035EPC2036元件的電容小很多。我們也比較了氮化鎵及MOSFET元件的面積-- EPC2035/EPC2036的面積大約是等效MOSFET的四十分之一。

功率系統工程師首次可以採用氮化鎵元件設計出具備更低的價格、更優越的開關速度及更小的尺寸的最終産品。

開發板

爲了簡化對這個全新eGaN FET產品系列進行評估,EPC推出開發板,使得工程師可以容易對EPC2035及EPC2036在“電路中”的性能進行評估。開發板的尺寸是2”x1.5”,採用半橋拓撲並包含eGaN FET、板載閘極驅動器、電源及旁路電容。開發板包含所有重要元件並佈局爲可以實現最高的開關性能。

開發板型號 VIN VOUT IOUT 所采用的eGaN FET
EPC9049 40 60 4 A EPC2035
EPC9050 60 100 2.5 A EPC2036

產品價格及實時供貨詳情

EPC2035功率電晶體在批量爲一千片時的單價爲0.36美元、一萬片的單價爲0.29美元。EPC2036電晶體在批量爲一千片時的單價爲0.38美元、一萬片的單價爲0.31美元。EPC9049EPC9050開發板的單價爲104.4美元。所有產品皆可以立即透過Digi-Key公司購買。

關於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的設計信息及技術支持

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])