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內含宜普電源轉換公司(EPC)的200 V氮化鎵場效應電晶體的開發板可實現高達30 MHz的效率

分類: 新聞稿
內含宜普電源轉換公司(EPC)的200 V氮化鎵場效應電晶體的開發板可實現高達30 MHz的效率

宜普電源轉換公司(EPC)的全新開發板幫助功率系統設計師容易並且快速地 對應用於E類放大器、電流模式D類放大器及push-pull轉換器的200 V氮化鎵電晶體進行評估,其工作效率可以高達30 MHz。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出高頻、基於氮化鎵電晶體並採用差分模式的開發板,可以在高達30 MHz下工作。 推出開發板的目的是幫助功率系統設計師利用簡易方法對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估,使得他們的產品可以快速量產。

這些開發板專為諸如無線充電、採用E類放大器的應用而設,而且也可以支援採用低側開關的應用,例如push-pull轉換器、採用電流模式的D類放大器、共源雙向開關及諸如LiDAR應用的通用高壓短脈寬應用。

這些開發板內含具有200 V額定電壓的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)。這些放大器被設計為工作在差分模式,也可再被配置而工作在單端模式,而且包含閘極驅動器及邏輯電源穩壓器。

這三塊開發板有共同的參數選擇及規格,其工作負載條件包括配置可以決定最優的負載電壓及電阻。以下的表格展示出每一塊開發板的各個元件的參數。

Demonstration Board
Part Number
Featured eGaN® FET
Part Number
VDS
(max)
RDS(on)
(max)
COSS
(max)
Pulsed ID
(max)
EPC9052 EPC2012C 200 V 100 mOhm 85 pF 22 A
EPC9053 EPC2019 200 V 50 mOhm 150 pF 42 A
EPC9054 EPC2010C 200 V 25 mOhm 320 pF 90 A

速查指南為工程師提供構建開發板的步驟、電路的方框圖、性能曲線、材料清單及Gerber 文檔,可從網站找到,網址是http://epc-co.com/epc/tw/產品/演示板.aspx

產品價格及供貨詳情

EPC9052、9053及9054開發板的單價為158.13美元,可立即從Digikey公司威健股份實業有限公司

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站,網址爲www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])