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基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

分類: 新聞稿
基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

EPC公司的全新開發板可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器,展示出基於eGaN FET、採用同步自舉電路的閘極驅動器在高頻工作時可以減少損耗。

宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068開發板,可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器。這些開發板專為功率系統設計師而設,對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估方面提供了簡易方法,使得設計師的產品可以快速量產。三塊開發板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的閘極驅動器,從而在高達15 MHz的高頻工作條件下可以提高效率。該些開發板在降壓轉換器及D類放大器配置的最大輸出電流為2.7 A。在整個電流範圍都可以降低損耗。

EPC9066/67/68分別採用40 V、65 V及100 V 的eGaN FET。這些開發板的尺寸為2”x 1.5”及在半橋式配置佈局。各開發板均採用德州儀器公司的LM5113閘極驅動器並配有電源及旁路電容。閘極驅動器的配置備有同步FET自舉電路及採用100 V、2800 mΩ的eGaN FET (EPC2038),從而去除由內部自舉二極體的反向恢復所引致的驅動器功率損耗。該些開發板備有多個探孔及專為DC輸入及輸出而設的Kelvin測量點。此外,開發板在大電流工作時可安裝散熱器。

每塊特定開發板的性能從它的工作負載條件包括配置決定最優設計的負載電壓及電阻。以下的表格展示出每一塊開發板的各個器件的參數。

Demonstration Board
Part Number
Featured eGaN® FET
Part Number
FET
VDS (max)
FET
RDS(on) (max)
Bootstrap FET
(EPC2038)
VDS (max) RDS(on) (max)
EPC9066 EPC8004 40 V 110 mΩ 100 V 2800 mΩ
EPC9067 EPC8009 65 V 130 mΩ 100 V 2800 mΩ
EPC9068 EPC8010 100 V 160 mΩ 100 V 2800 mΩ

隨開發板一起提供的還有一份供用戶參考和易於使用的網上速查指南,內載有詳細資料包括設置步驟、電路圖框、材料清單及Gerber文檔,詳情請瀏覽http://epc-co.com/epc/tw/產品/演示板.aspx

價格及供貨詳情

TEPC9066、EPC9067及EPC9068开发板的单价为158.13美元,可立即從Digikey公司威健股份實業有限公司購買。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站,網址爲www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])