新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因–確證eGaN FET的現場可靠性

分類: 技術文章
eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因–確證eGaN FET的現場可靠性

宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)及積體電路正在驅動最終用戶應用的發展,包括LiDAR、無線充電、DC/DC電源轉換、射頻發射基站、衛星系統及音訊放大器等應用。

從現場可靠性數據可以確證eGaN® FET及積體電路於客戶應用的品質。在本章節,我們分享eGaN® FET的可靠性及現場數據的概述,包括在過去六年間我們對量產及已經付運的eGaN產品所收集的可靠性現場數據,以及分析超過170億小時受測元件的現場數據。最後所得的FIT比率(109小時內發生失效的元件)大約是0.24,這是目前最好的現場可靠性測試結果。

Plant Analog
作者:Chris Jakubiec
2016年5月1 日
閱讀文章