部落格(3):eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因 Posted 2016年7月11日 分類: 技術文章 在本系列的第一及第二章,我們詳細講解了關於EPC的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及積體電路(IC)的現場可靠性報告。具備優越的現場可靠性的eGaN元件展示出通過基於應力的認證測試可確保客戶的應用也可以非常可靠。本章將闡釋EPC元件在認證之前被置於及通過的各種應力測試。 Planet Analog Chris Jakubiec 2016年7月9日 閱讀全文 標籤: 氮化鎵場效應電晶體積體電路品質 相關的熱門文章全新矽器件:宜普公司首席執行長談論為何氮化鎵器件將成為未來的電源管理器件宜普電源轉換公司的全新eGaN功率電晶體突破了矽元件之前無可匹敵的成本/速度壁壘How To GaN: Paralleling High Speed eGaN FETS for High Current ApplicationsEPC8000 Family Highlighted as “Green Product of the Month” in Bodo’s Power Systems宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出面向高頻應用的 300 V氮化鎵功率電晶體