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部落格(3):eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因

分類: 技術文章
部落格(3):eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因

在本系列的第一及第二章,我們詳細講解了關於EPC的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及積體電路(IC)的現場可靠性報告。具備優越的現場可靠性的eGaN元件展示出通過基於應力的認證測試可確保客戶的應用也可以非常可靠。本章將闡釋EPC元件在認證之前被置於及通過的各種應力測試。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
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