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部落格(4):eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因

分類: 技術文章
部落格(4):eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因

在本系列的第一、二及第三章中,我們詳細講解了關於EPC增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路(IC)的現場可靠性及它們被認證通過應力測試。在應用中,我們把元件置於預期的工作條件下並施加應力,其測試結果引證了氮化鎵元件的現場可靠性。同樣重要的是明白eGaN元件固有的物理特性,它如何在被施加應力後並超出預期工作條件時(例如數據表的參數及安全工作區(SOA))而失效。本章將進一步深入探討失效的物理原因 -- 採用晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)的eGaN元件的熱機械可靠性。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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