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eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因 – 閘極電壓應力測試

分類: 技術文章
eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因 – 閘極電壓應力測試

本系列的第四章中,我們探討了採用晶圓級晶片尺寸封裝的eGaN元件的熱機械可靠性。同樣重要的是,我們需要瞭解有閘極偏置時,元件有可能發生的故障模式。本章探討氮化鎵(GaN)場效應電晶體的閘極在偏置電壓時失效的物理原因。我們把eGaN FET的閘極控制電壓提升至特定的最大極限值和極限值以上,從而分析該元件在失效前的性能。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
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