新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

面向雷射雷達應用並採用EPC氮化鎵(eGaN)技術的150安培開發板可以驅動5 納秒脈寬的脈衝電流

分類: 新聞稿
面向雷射雷達應用並採用EPC氮化鎵(eGaN)技術的150安培開發板可以驅動5 納秒脈寬的脈衝電流

EPC9126HC開發板採用具備超快速功率轉換特性的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET),由於可以驅動高達150 A及可低至5 ns脈寬的脈衝大電流,因此可以提高雷射雷達(LiDAR)系統所偵測的資料的質素,包括資料的準確性、精確度及製作速度。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新的100 V、150 A大電流脈衝雷射二極體的驅動演示電路板(EPC9126HC)。面向全自動汽車應用的雷射雷達系統需要製作三維地圖,因此,偵測四周的目標物件的速度及準確性變得非常重要。從EPC9126HC演示電路板可以看到,與等效MOSFET相比,具備快速轉換特性的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)所提供的脈衝功率可以快十倍的速度驅動雷射二極體,從而提升雷射雷達系統的整體性能。

EPC9126HC開發板主要驅動雷射二極體,備有參考接地的氮化鎵場效應電晶體(EPC2001C)。該電晶體由德州儀器公司的UCC27611閘極驅動器驅動。EPC2001C的最高電壓為100 V,可驅動高達150 A脈衝電流。EPC9126HC開發板給高功率triple-junction雷射二極體的驅動電流高達75 A,其脈寬可以低至5 ns。

開發板為裝貼雷射二極體所需,提供多個可選並具備超低電感的連接,以及可利用電容器放電(裝運時配備),或由電源匯流排直接驅動二極體。開發板並沒有包含雷射二極體,它需要由使用者提供,從而對不同的應用進行針對性的評估。

PCB的設計是把功率環路電感減至最小而同時保持裝貼雷射二極體的靈活性。板上備有多個無源探頭(passive probe),可測量電壓及放電電容器的電流,以及備有為50 Ω測量系統而設的輸入及感測器的SMA連接器。此外,使用者可使用可選的高精度窄脈衝發生器。

最後,EPC9126HC可以在其他採用參考接地的eGaN FET的應用中發揮其效能,例如Class E或其他相同的電路。

價格及供貨詳情

大電流脈衝雷射二極體的驅動評估板(EPC9126HC)的單價為231.25美元,可從Digikey公司購買或從威健實業股份有限公司購買。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括 直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器三維成像與雷射雷達(LiDAR)D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列,爲客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址爲www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])