新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

氮化鎵正面攻擊矽功率MOSFET元件

分類: 技術文章
氮化鎵正面攻擊矽功率MOSFET元件

目前的氮化鎵場效應電晶體在尺寸及性能方面以飛快的速度發展,而目前為業界樹立基準的氮化鎵元件的性能還可以提升多300倍。

最早採用氮化鎵元件的應用是利用氮化鎵的超快速開關速度,例如面向全自動駕駛車輛和無人機的雷射雷達系統、機械人,以及4G/LTE基站。氮化鎵元件的產量一直在增加,而其價格跟開關速度更慢、尺寸更大型和日益陳舊的MOSFET元件相約。因此,目前正是氮化鎵元件正面攻擊MOSET的時候!。

Bodo’s Power Systems
2019年6月
閱讀文章