採用與氮化鎵場效應電晶體匹配的驅動器積體電路可以提升低壓負載點轉換器的性能 Posted 2019年12月13日 分類: 技術文章 本文闡析面向12 V輸入電壓轉到1 V輸出電壓的負載點轉換器，如果採用與氮化鎵場效應電晶體匹配的驅動器，可以顯著提升性能。從文章中展示的uPI1966D設計範例可以看到，EPC公司的不對稱氮化鎵半橋場效應電晶體EPC2100與uPI半導體公司的雙通道同步驅動器積體電路是非常匹配的。 How2Power Today 2019年12月 閱讀文章 標籤: 氮化鎵器件驅動器負載點MOSFET氮化鎵GaN積體電路 相關的熱門文章全新閘極驅動器延伸德州儀器用以驅動氮化鎵場效應電晶體的積體電路產品系列宜普公司推出升級版的開發板，內含增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及德州儀器公司專為驅動氮化鎵器件而設的柵極驅動器Freebird Semiconductor Partners with EPC for Development of Radiation Hardened Gallium Nitride Power Conversion Systems for Satellite and Harsh Environment ApplicationsNational Semiconductor Introduces Industry’s First 100V Half-bridge Gate Driver for Enhancement-mode Gallium-Nitride Power FETs宜普電源轉換公司（EPC）產品榮獲《今日電子》/21IC中國電子網 2017年度“Top10電源產品–最佳應用獎”