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面向多種功率應用的氮化鎵電晶體

分類: 技術文章
面向多種功率應用的氮化鎵電晶體

矽功率MOSFE追不上目前功率電子業界的演進步伐 -- 業界需要具備高效、高功率密度及細小的外型尺寸的元件。業界看到矽MOSFET已經達到它的理論極限,從而需要找出全新元件。氮化鎵(GaN)是一種HEMT元件,具備附加增值的優勢,被證明為可以支持全新應用的要求。

Power Electronics News
2020年3月25日
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